Tuff

Με τις τρεις ζώνες σπειρωμάτων που διαθέτουν, τα εμφυτεύματα Tuff έχουν σχεδιαστεί σύμφωνα με την ανατομία της οστικής δομής. Στην ακρορριζική περιοχή του εμφυτεύματος, η σχήματος V ζώνη του σπειρώματος είναι κοπτική επιτρέποντας την αυτοκοχλίωση (self-tapping). Το σπείρωμα στην ενδιάμεση ζώνη του εμφυτεύματος συμβάλλει στη συμπίεση του σπογγώδους οστού και στην επίτευξη μέγιστης επιφάνειας επαφής μεταξύ οστού και εμφυτεύματος (BIC). Το πυκνότερο σπείρωμα στην αυχενική εμφυτευματική επιφάνεια ενισχύει την σταθερότητα του εμφυτεύματος και προλαμβάνει την περιεμφυτευματική αυχενική οστική απώλεια.

Υλικό: Τιτάνιο (Ti6Al4V ELI)
Επεξεργασία: RBM

Διαθέσιμα σε δύο τύπους, ανάλογα με τον αυχένα του εμφυτεύματος.

* The proposed procedure is only a recommendation and should not replace the doctor’s judgment.
The implants may be placed in immediate function when good primary stability (above 35 Ncm) has been achieved and with appropriate occlusal loading.

* Implant Carrier removal After the osteotomy preparation, the implant should be inserted with the aid of the implant carrier. The implant should be initially stabilized by a few threads and then the carrier should be removed. Farther insertion of the implant will be done with appropriate tool.

* Implant hexagon During implant insertion, the hexagon of the implant, should be located with a straight part of the hexagon toward the angulation needed, in order
to provide adequate rehabilitation.